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首页 - 公司动态 - 东芝开始在日本四日市建造Fab 6和内存研发中心
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日本东芝公司今天宣布，已经开始建设一个新的最先进的半导体制造设施Fab 6和一个新的研发中心，内存研发中心，在四日市营业三重县，日本，公司的主要内存生产基地。
Fab 6将致力于生产BiCS FLASH™，东芝创新的3D闪存1。像Fab 5一样，建设将分两个阶段进行，允许投资速度根据市场趋势进行优化，第一阶段计划于2018年夏季完成。东芝将通过密切监测市场来确定装机容量和产出目标和时间表。
东芝还将在新工厂附近建设一个内存研发中心，完成目标是2017年12月。该设施将推进BiCS FLASH™和新记忆的开发。
东芝决定通过根据市场趋势及时扩展BiCS FLASH™生产来提高其在记忆业务方面的竞争力，并保持在记忆业务创新方面的领先地位。
