日本东芝公司今天宣布,已经开始建设一个新的最先进的半导体制造设施Fab 6和一个新的研发中心,内存研发中心,在四日市营业三重县,日本,公司的主要内存生产基地。
Fab 6将致力于生产BiCS FLASH™,东芝创新的3D闪存1。像Fab 5一样,建设将分两个阶段进行,允许投资速度根据市场趋势进行优化,第一阶段计划于2018年夏季完成。东芝将通过密切监测市场来确定装机容量和产出目标和时间表。
东芝还将在新工厂附近建设一个内存研发中心,完成目标是2017年12月。该设施将推进BiCS FLASH™和新记忆的开发。
东芝决定通过根据市场趋势及时扩展BiCS FLASH™生产来提高其在记忆业务方面的竞争力,并保持在记忆业务创新方面的领先地位。